上一章我們講到集成芯片制作的基板硅晶圓，那么這一章我們接著來講硅晶圓是怎么一步一步制作成我們最終看到的集成芯片的。我們可以分成前段制程（Front End）和后段制程（Back End）兩個制程來講解，前段制程包含晶圓處理制程（Wafer Fabrication 簡稱Wafer Fab）和晶圓針刺制程（Wafer Probe）。

那么現(xiàn)在我們先來介紹前段制程：
一．晶圓處理制程 
        主要工作為在硅晶圓上制作電路和電子元件（如：電晶體，電容體，邏輯閘等），為上述各制程中所需技術(shù)最復(fù)雜且資金投入最多的過程，以微處理器（Microprocesser）為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，而其所需加工機(jī)臺先進(jìn)且昂貴，動輒數(shù)千萬一臺，其所需制造環(huán)境為唯一溫度，濕度與含塵（Particle）均需控制的無塵室（Clean-room）,雖然詳盡的處理程序是隨著產(chǎn)品種類和所使用的技術(shù)有關(guān)，不過其基本處理步驟通常是晶圓先經(jīng)過適當(dāng)?shù)那逑矗–leaning）之后，接著進(jìn)行氧化（Oxidation）及沉積，最后進(jìn)行微影，蝕刻及離子植入等反復(fù)步驟，以完成晶圓上電路的加工和制作。

二． 晶圓針刺制程
        經(jīng)過Wafer Feb之制程后，晶圓上即形成一格格的小格，我們稱之為晶方或者晶粒（Die），在一般情形下，同一晶圓上皆制作相同的晶片，但是有可能在同一晶圓上制作不同規(guī)格的產(chǎn)品，這些晶圓必須通過晶片允收測試，晶粒將會一一經(jīng)過針測（Probe）儀器以測試其電氣特性，而不合格的晶粒將會被標(biāo)上記號（Ink Dot）,此程序即稱之為晶圓針測制程（Wafer Probe），然后晶圓將依晶粒為單位分割成一粒粒獨(dú)立的晶粒。
        至此，我們前段制程的基本簡單的介紹已經(jīng)跟大家分享完了，也就是說現(xiàn)在的晶圓已經(jīng)變成了一粒粒獨(dú)立的晶粒了，至于晶粒接下來我們要怎么進(jìn)行處理，我將在下一個章節(jié)繼續(xù)給大家介紹后段制程，我們先來了解下后段制程包含構(gòu)裝（Packaging）和測試制程（Initial Test and Final Test）。以便我們下一章節(jié)的繼續(xù)講解。

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