TFT有源矩陣液晶顯示是可以實(shí)現(xiàn)活動視頻圖象顯示的液晶顯示，但是，在非晶硅薄膜上制作的有源矩陣TFT由于其電子遷移率低，而不得不將器件面積作得稍大，因此在很小的像素面積上占據(jù)了不少比例，使像素的開口率（有效像素面積/全部像素面積）僅70%左右。 

        嚴(yán)重影響了背光源的有效利用，而無源液晶顯示雖然不能顯示視頻圖象，但是其開口率高（不計(jì)像素間隔，可達(dá)100%），在開口率方面的相互競爭，導(dǎo)致人們開發(fā)了開口率達(dá)80%以上的多晶硅TFT有源矩陣，即P-TFT-LCD。多晶硅的電子遷移率比非晶硅的 電子遷移率高一個數(shù)量級，因此器件可以作小一些，開口率自然高。而且，由于電子遷移率提高了一個數(shù)量級，完全可以將速度不是很高的行列驅(qū)動器也作在液晶顯示器基板的多晶硅層上。

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